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20m3/H शुद्ध जल उपकरण फर्श हीटिंग प्रणाली के लिए पानी का परिसंचरण
| मॉडल: | HJ - PWGFH20T |
|---|---|
| प्रवाह दर: | 20m³/घंटा |
| बिजली की आपूर्ति: | 380v |
नई ऊर्जा अल्ट्रा शुद्ध जल उपकरण बड़ी जल शोधक प्रणाली 20000L-500000L
| प्रवाह दर: | 20000L-500000L |
|---|---|
| उत्पाद का नाम: | अति शुद्ध जल उपचार प्रणाली |
| कोर प्रक्रिया: | डबल-पास रिवर्स ऑस्मोसिस + ईडीआई + पॉलिशिंग राल |
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सेमीकंडक्टर के लिए EDI मॉड्यूल के साथ बड़े पैमाने पर 115m3/H अल्ट्रा प्योर वाटर उपकरण
| पानी की गुणवत्ता: | प्रतिरोधकता .15-18.25 M · · cm |
|---|---|
| प्रवाह दर: | 115m and/h (अनुकूलन योग्य) |
| कोर प्रक्रिया: | डबल-पास रिवर्स ऑस्मोसिस + ईडीआई + पॉलिशिंग राल |
अनुकूलित 20T/H औद्योगिक अल्ट्रा शुद्ध जल उपकरण लिथोग्राफी के लिए
| प्रवाह दर: | 50m the/h (अनुकूलन योग्य) |
|---|---|
| पानी की गुणवत्ता: | प्रतिरोधकता and18.18 Mω · cm (25 ° C) |
| कोर प्रक्रिया: | रिवर्स ऑस्मोसिस + ईडीआई + पॉलिशिंग राल |
10T/H एक्वेरियम और एक्वाकल्चर शुद्ध जल उपकरण पूर्ण स्वचालित
| उत्पादन क्षमता: | HJ-PWAQ10T |
|---|---|
| प्रवाह दर: | 10m³/घंटा |
| बिजली की आपूर्ति: | 380v |
मास स्पेक्ट्रोमेट्री के लिए लैब 2000LPH अल्ट्राप्योर वाटर ट्रीटमेंट उपकरण
| प्रवाह दर: | 2m g/h (अनुकूलन योग्य) |
|---|---|
| प्रतिरोधकता: | 18.2 M · · cm |
| कोर प्रक्रिया: | डबल-पास रिवर्स ऑस्मोसिस + ईडीआई |
गुआंग्सी बिजली संयंत्रों के लिए पूर्ण स्वचालित 25m3/H अल्ट्रा शुद्ध जल उपकरण
| पानी की गुणवत्ता: | प्रतिरोधकता .15-18.25 M · · cm |
|---|---|
| प्रवाह दर: | 25m the/h (अनुकूलन योग्य) |
| ज़रूरी भाग: | आरओ मेम्ब्रेन मॉड्यूल, ईडीआई इकाइयाँ |
स्टेनलेस स्टील आरओ जल उपचार उपकरण 3 टन/घंटा स्वचालित संचालन
| प्रवाह दर: | 3m g/h (अनुकूलन योग्य) |
|---|---|
| उत्पादित पानी की गुणवत्ता: | चालकता <10μs/सेमी |
| ज़रूरी भाग: | आरओ मेम्ब्रेन मॉड्यूल |
उच्च प्रदर्शन 80 टन/घंटा अल्ट्रा प्योर वाटर उपकरण फोटोवोल्टिक सेल के उत्पादन के लिए
| प्रतिरोधकता: | ≥18.18 Mω · cm (25 ° C) |
|---|---|
| प्रवाह दर: | 80M/H (अनुकूलन योग्य) |
| कोर प्रक्रिया: | डबल-पास रिवर्स ऑस्मोसिस + ईडीआई + पॉलिशिंग राल |
सुरक्षित विश्वसनीय 95m3/H अल्ट्रा शुद्ध जल उपकरण परमाणु ऊर्जा संयंत्र के लिए बॉयलर फ़ीड पानी
| प्रवाह दर: | 95m g/h (अनुकूलन योग्य) |
|---|---|
| इलेक्ट्रिकल कंडक्टीविटी: | ≤0.1 μs/सेमी (25 ° C) |
| कोर प्रक्रिया: | डबल-पास रिवर्स ऑस्मोसिस + ईडीआई + पॉलिशिंग राल |